拒绝“芯”痛!大连理工大学取得“电子芯片”重大突破_科技频道_东方资讯

拒绝“芯”痛!大连理工大学取得“电子芯片”重大突破_科技频道_东方资讯
芯片被喻为国家的“工业粮食”,有业内人士曾说,一个长时间无“芯”的国家,只能被动地挑选全球工业链的基层方位。而我国每年要进口超两千亿美元的电子芯片,该工业技能现在仍严峻受制于欧美日发达国家。我国需求“我国芯”,芯片国产化火烧眉毛。近来,大连理工大学光电工程与仪器科学学院黄火林副教授地点研讨团队,在新式功率电子器材芯片范畴取得重要发展,所研发的芯片归纳功能挨近世界先进水平。黄火林,大连理工大学光电工程与仪器科学学院副教授、博导,国家自然科学基金项目评定专家,美国电气电子工程师学会(IEEE)会员。2011年7月,博士结业于厦门大学物理系;2011年8月至2014年10月,在新加坡国立大学(NUS)电机工程系(ECE)从事新一代GaN资料功率电子器材研发作业。2014年12月被引入大连理工大学,首要持续从事GaN资料功率电子器材技能以及新式GaN资料光电磁传感器集成技能作业,在GaN电子器材技能方向取得了一系列研讨成果。黄火林副教授地点研讨团队提出一种根据Al2O3/SiON叠层介质的氮化镓场效应晶体管制作技能,经过栅区势垒层浅刻蚀工艺和界面电荷调控工程来调制器材开关阈值电压,取得+2V阈值电压的常关型功率器材,并在此基础上,在6英寸外延片进步一步完成高均匀性的大尺度芯片晶圆制作,芯片良率高于96%。比照现在世界同类型功率开关器材,该研讨成果归纳目标位居前列,特别是其阈值电压漂移值为现在世界报导的最优成果,预示芯片具有很高的作业稳定性。别的,这种芯片制作技能根据全体无金化工艺,与传统硅基CMOS工艺兼容,有望加速推动新一代氮化镓功率器材面向使用商场。现在,该研讨成果已被IEEE Electron Device Letters杂志接纳。文章榜首作者为课题组博士生孙仲豪,通讯作者为黄火林副教授。该杂志具有近50年的悠长前史,为电子器材类的专业尖端杂志,据检索,这是大连理工大学作为论文榜首单位,初次在该杂志上成功宣布。该作业得到了国家自然科学基金、大连市科技严重专项和大连理工大学相关部分的大力支持。氮化镓(GaN)资料是第三代宽带隙半导体的杰出代表,具有电子饱满速率高、临界击穿电场大、耐高温、抗辐射等特色,合适制作新一代高效能、高压、大功率的新式功率开关器材,未来有望逐步代替现有的硅基功率器材产品。但是,氮化镓功率器材现在技能不成熟,特别是具有更安全、节能特色的常关型芯片制作技能仍然是世界公认的难点。该研讨团队多年来即致力于氮化镓常关型芯片的规划和制作作业,现在已在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等重要学术期刊宣布论文30余篇,已请求或授权国家发明专利22项、PCT世界专利1项(近5年)。

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